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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关(gu虾青素精华液适合什么年龄段，用虾青素擦脸一年后ān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞虾青素精华液适合什么年龄段，用虾青素擦脸一年后对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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