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　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息中国内战打了几年，中国内战打了几年时间基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中(中国内战打了几年，中国内战打了几年时间zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zh中国内战打了几年，中国内战打了几年时间ǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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