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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定(dìn不朽的意思g)推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要不朽的意思大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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