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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华双曲线虚轴的位置，双曲线虚轴有什么意义人(rén)民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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