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上海四大八校是指什么高中,上海市重点高中排名一览表 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查

  据网信办消息(xī),日前,网络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患,对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险,影响我国国家安(ān)全。为此,网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán),是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放,只要遵守(shǒu)中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日(rì),中国网信(xìn)网发文称,为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán),防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险,维护国家(jiā)安全(quán),依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》,网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

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  美光是美国(guó)的存上海四大八校是指什么高中,上海市重点高中排名一览表储芯片行业龙头(tóu),也是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至少已经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约,确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì),公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

  有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析,如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制,或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析称(chēng),长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入(rù)美国限制名单,设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速,看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技(薄膜沉积)等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升(shēng),以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上(shàng)海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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