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　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng0082是哪个国家区号呢，0081是哪个国家区号)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工0082是哪个国家区号呢，0081是哪个国家区号(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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