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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储word中1.5倍行间距相当于多少磅，word1.25倍行距是多少磅(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和word中1.5倍行间距相当于多少磅，word1.25倍行距是多少磅(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)word中1.5倍行间距相当于多少磅，word1.25倍行距是多少磅及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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