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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三(s兰州理工大学是一本还是二本 兰州理工大学是211吗ān)大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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