大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美害人精类似的三字词，像害人精这样的三字成语你还知道哪些光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等(děng)害人精类似的三字词，像害人精这样的三字成语你还知道哪些法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层害人精类似的三字词，像害人精这样的三字成语你还知道哪些均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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