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乡字用五笔怎么打出来,乡字五笔怎么打法 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前(qián),网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存(cú乡字用五笔怎么打出来,乡字五笔怎么打法n)在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn),影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ),网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规,我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查,目的是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安全,是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán),防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》乡字用五笔怎么打出来,乡字五笔怎么打法,对(duì)美光公司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu),也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应优势,公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中国区销售受到限制,或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤,同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽,催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù),薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān),设备国产化进(jìn)程(chéng)加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升(shēng),以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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