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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在(z苏州市相城区邮编是多少ài)较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(苏州市相城区邮编是多少àn)照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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