大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义 24px;'>武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查(武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义chá)办公室按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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