大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络(l恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因uò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查。恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因p>

　　美光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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