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雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语

雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日前(qián),网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语了网络安全审查。

  审查发(fā)现,美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规,我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

  此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全审查,目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全,是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称,为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险,维护国家(jiā)安全,依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》,网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头,也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一,2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降,至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

  公告显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势,公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外三星(雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的(de)深孔(kǒng),未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽,催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披(pī)露,薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设备国(guó)产化进(jìn)程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份额提升,以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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