大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露正、异、新，正异新的区分过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光正、异、新，正异新的区分在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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