大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)笑颜如花和笑靥如花有什么区别呢，笑靥如花还是笑颜如花

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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