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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(不甚是什么意思解释，不甚了然是什么意思bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)不甚是什么意思解释，不甚了然是什么意思最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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