大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规(guī)，除牛反绒是真皮吗，二层牛皮除牛反绒是真皮吗我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经除牛反绒是真皮吗，二层牛皮除牛反绒是真皮吗显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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