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一百克等于多少斤,一百克等于多少斤多少两 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息(xī)。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

  据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息,日前,网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(t一百克等于多少斤,一百克等于多少斤多少两í)隐(yǐn)患(huàn),对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险,影响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ),网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī),我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查(chá),目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全,是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú),欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称,为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán),防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》,网络一百克等于多少斤,一百克等于多少斤多少两(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》,对(duì)美光公司(Micron)在(zài)华销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审查。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī),2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降,至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势,公司(sī)也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制,或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu),同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽,催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单,设备国产化进(jìn)程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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