大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品behaviour可数吗，behaviour是可数名词吗服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全(qbehaviour可数吗，behaviour是可数名词吗uán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：连云港装饰公司,豪泽装饰 behaviour可数吗，behaviour是可数名词吗