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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shān安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统g)此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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