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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，语言凝练和凝炼的区别，凝练和凝炼的区别是什么trong>美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美语言凝练和凝炼的区别，凝练和凝炼的区别是什么光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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