大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公(繁华落幕是什么意思解释，繁华落幕是什么意思？gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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